冷水佐壽

冷水佐壽（ひやみずさとし、1943年 2月25日^[1] - 2019年 2月7日^[2]）は、日本の電気工学者。

富士通研究所にいた1982年にJapanese Journal of Applied Physics論文賞を2DEGにおける移動度に関する論文の筆頭筆者として受賞し、1990年には三村高志とともにIEEEモーリス・N・リーブマン記念賞^[1]を「化合物半導体材料およびデバイスのエピタキシャル成長に対する顕著な貢献」により受賞した。2001年には「最初の高電子移動度トランジスタ(HEMT)の実現への貢献」によりIEEEフェロー^[1]に選ばれた。2000年から2002年まで大阪大学大学院基礎工学研究科長を務めた。2019年2月に75歳で亡くなった^[2]。

脚注

^ ^a ^b ^c “講師氏名：冷水佐壽（ひやみず　さとし）教授” (Japanese). Tokushima University (2002年). 2019年3月23日時点のオリジナルよりアーカイブ。2019年3月23日閲覧。
^ ^a ^b “冷水佐壽氏死去大阪大名誉教授” (Japanese). Saga Shimbun. (2019年2月13日). オリジナルの2019年3月23日時点におけるアーカイブ。. https://archive.is/qsxUt 2019年3月23日閲覧。

Satoshi Hiyamizu et al., "Extremely High Mobility of Two-Dimensional Electron Gas in Selectively Doped GaAs/N-AlGaAs Heterojunction Structures Grown by MBE", Jpn. J. Appl. Phys. Vol.20 (1981) Pt.2 No.4, pp. L245-L248.
IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award recipients
IEEE Fellow Class of 2001
IEEE Fellow Class of 2001 (Tokyo section)
Osaka University Graduate School of Engineering - history

表話編歴奈良工業高等専門学校校長
国立奈良工業高等専門学校校長	初代八濱義和 1964-1974 第2代小森三郎 1974-1982 第3代櫻井洸 1982-1989 第4代中西義郎 1989-1994 第5代福岡秀和 1994-2000 第6代一岡芳樹 2000-2006
独立行政法人国立高等専門学校機構奈良工業高等専門学校校長	第6代一岡芳樹 2000-2006 校長事務代理京兼純 2006-2006 第7代冷水佐壽 2006-2011 校長事務代理中村善一 2011-2011 第8代谷口研二 2011-2016 第9代後藤景子 2016-2023 第10代近藤科江 2023-

表話編歴奈良工業高等専門学校校長
国立奈良工業高等専門学校校長	初代八濱義和 1964-1974 第2代小森三郎 1974-1982 第3代櫻井洸 1982-1989 第4代中西義郎 1989-1994 第5代福岡秀和 1994-2000 第6代一岡芳樹 2000-2006
独立行政法人国立高等専門学校機構奈良工業高等専門学校校長	第6代一岡芳樹 2000-2006 校長事務代理京兼純 2006-2006 第7代冷水佐壽 2006-2011 校長事務代理中村善一 2011-2011 第8代谷口研二 2011-2016 第9代後藤景子 2016-2023 第10代近藤科江 2023-